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Si4866BDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
150 °C
25 °C
0.020
0.016
0.012
I D = 12 A
0.1
0.01
0.001
0.00 8
0.004
0.000
125 °C
25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.3
0.1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
120
- 0.1
- 0.3
- 0.5
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
8 0
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10
10 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 70341
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09
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